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PECVD等離子沉積設(shè)備 Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計和直接載片的成本效益設(shè)計的優(yōu)點。從2″至8″晶片和樣品的標準應(yīng)用開始，可以逐步升級以完成復(fù)雜的工藝。
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備 PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學(xué)氣相沉積工藝。
等離子沉積設(shè)備 低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。
