FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

簡(jiǎn)要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

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更新時(shí)間：2025-10-20
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沉積系統(tǒng)

便攜式樣品傳送腔體激光沉積系統(tǒng) 原子層沉積設(shè)備

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品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,電子/電池

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設(shè)備也變得更大，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

應(yīng)用領(lǐng)域
非晶矽前驅(qū)物（a-Si）。氮化矽 (SiNx)。氧化矽，矽烷基(SiOx)。氧化矽，TEOS (SiOx)。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。每個(gè)製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔。穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。	Cassette傳送站。 TEOS沉積製程。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。